在DCDC電源測試中，負載瞬態(tài)測試（Load Transient Test）是十分重要的一環(huán)，利用負載瞬態(tài)測試，可以快速評估所測電源的穩(wěn)定性與快速性，而在DCDC轉(zhuǎn)換器芯片的選型時，負載瞬態(tài)測試表現(xiàn)也是評估該芯片動態(tài)性能的重要參考。

       負載瞬態(tài)通常使用電子負載（E-Load）進行測試，前面提到，負載的跳變斜率（Slew Rate）將對測試結(jié)果產(chǎn)生關(guān)鍵影響，然而受設(shè)備內(nèi)部電路限制，常規(guī)電子負載所能實現(xiàn)的di/dt不會很高，另外受不同廠家設(shè)計等因素影響，不同型號的電子負載其能實現(xiàn)的跳變速率也不盡相同，如下圖2(a)(b)所示，兩圖分別為型號A和B，在同樣設(shè)置2.5A/us時的實際電流上升斜率對比，可以看到實際電流跳變斜率遠小于設(shè)置值，而不同型號的跳變斜率也不一樣。這可能導致電源瞬態(tài)測試結(jié)果偏理想，或?qū)Σ煌酒g性能評估不夠客觀。因此，設(shè)計一款簡易實用，負載跳變斜率可滿足實驗要求的電子負載具有重要工程意義。

       針對上述傳統(tǒng)方法的不足，本文設(shè)計了一種基于MOSFET的小功率實用電子負載。如下圖所示，該設(shè)計主要包括MOSFET，驅(qū)動級，電源軌及脈沖發(fā)生器四部分。其基本工作原理為：MOSFET并非處于常規(guī)的開關(guān)狀態(tài)，而是使其工作在恒流區(qū)，脈沖發(fā)生器通過DRV8836驅(qū)動MOSFET，產(chǎn)生一定幅值和脈寬的GS電壓，進而實現(xiàn)漏極電流（負載電流）的跳變。其中負載電流的幅值可通過調(diào)節(jié)LDO輸出電壓進行控制，負載電流的上升/下降斜率則可通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電阻阻值進行控制。

       設(shè)計中有幾點值得注意：

       由于MOSFET處于恒流區(qū)，漏極電流受控于GS電壓，若采用傳統(tǒng)二極管加驅(qū)動電阻的方式進行斜率調(diào)節(jié)，當GS電壓與驅(qū)動電壓小于二極管正向壓降時，二極管將相當于高阻，會使得驅(qū)動回路時間常數(shù)變大，動態(tài)變差，因此這里使用DRV8836的兩個半橋?qū)崿F(xiàn)充放電的獨立控制；

實際負載動態(tài)測試需要實現(xiàn)某一電流A跳變到另一電流B，可將其分解為DC電流（電流A）以及AC電流（電流B）。本設(shè)計只需考慮AC電流（跳變部分），DC電流只需在MOSFET兩端并聯(lián)一可調(diào)功率電阻即可；

      為減小MOSFET發(fā)熱，可設(shè)置較低的脈沖頻率（如10Hz），而相應(yīng)搭配較低的占空比；

為方便離線運行，脈沖發(fā)生器部分這里采用了LMC555定時器搭建脈沖發(fā)生電路，以下電路實現(xiàn)了頻率不變而占空比可調(diào)的脈沖發(fā)生器。兩二極管的加入使得充放電回路分開，調(diào)節(jié)R2即可調(diào)節(jié)充放電時間，從而實現(xiàn)占空比可調(diào)。充放電時間及脈沖頻率計算如下式：

       原型機使用鋁殼功率電阻作為DC負載，通過多圈可調(diào)電位器調(diào)節(jié)驅(qū)動電阻，以達到不同的負載跳變斜率，對被測DCDC模塊進行5V/1A~6A的負載瞬態(tài)實驗，實驗結(jié)果如下圖所示，通道3為輸出電壓交流信號，通道4為負載電流：

       從實驗結(jié)果可以看到，所搭建的原型機能實現(xiàn)在既定（平均）斜率下的負載跳變，且斜率及負載大小可以分別通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電阻和LDO輸出電壓進行連續(xù)調(diào)節(jié)。值得注意的是，被測DCDC模塊在250mA/us下的電壓跌落（Undershoot）為268mV，而在2.5A/us下則達到432mV，可見負載跳變速率（Slew Rate）對負載瞬態(tài)測試結(jié)果的影響是十分明顯的。

       本文從實際負載瞬態(tài)實驗的需求出發(fā)，分析了現(xiàn)有電子負載的局限性，針對該不足并結(jié)合實際應(yīng)用需求設(shè)計了一款簡易實用的小功率電子負載，給出了具體系統(tǒng)框圖及設(shè)計要點，并據(jù)此搭建了原型機進行實驗驗證。實驗結(jié)果證明，原型機可以實現(xiàn)既定斜率下的負載跳變，能較好地滿足小功率負載瞬變測試的需求。